中華人民共和國國家軍用標(biāo)準(zhǔn)
FL 0111 ???????????????????????????????????????????????????????????????GJB ????1649-93
電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ????for ????protcction?????of
electronic products
1993—09—30發(fā)布?????????????????????????????1994—06—01實(shí)施
國防科學(xué)技術(shù)工業(yè)委員會??批準(zhǔn)
目??次
5.2 ????ESDS?元器件、組件和設(shè)備的分級 (3)
5.11 ????質(zhì)量保證規(guī)定? (5)
附錄A??靜電放電敏感度分級試驗(yàn)(補(bǔ)充件) (7)
A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗(yàn)? ?(9)
附錄C ??靜電敏感符號的顏色和比例尺寸(參考件) ?(?14)
中?華?人?民?共?和?國?國?家?軍?用?標(biāo)?準(zhǔn)
電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱
Electrostatic discharge control
program ?for ?protection ?of
elecfronic ??products
GJB??????1649·93
1??范圍
1.1??主題內(nèi)容
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電敏感電子產(chǎn)品的靜電放電控制要素。還規(guī)定了質(zhì)量保證規(guī)定、資料要 求、檢查及評審等內(nèi)容。
1.2??適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)適用于從事表1所列功能的機(jī)構(gòu)、承制方、轉(zhuǎn)承制方。
本標(biāo)準(zhǔn)的某些部分不適用于所有的訂購方或使用方，訂購方應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定出相應(yīng)的要?求。
本標(biāo)準(zhǔn)不適用于電觸發(fā)引爆裝置，也不適用元器件的設(shè)計要求。
1.3??應(yīng)用指南
本標(biāo)準(zhǔn)可以剪裁，承制方應(yīng)為訂購方選定表1中合適的控制大綱功能和要素，并經(jīng)訂購方?認(rèn)可。
1.3.1 ???????當(dāng)訂購方指明產(chǎn)品是重點(diǎn)工程中的關(guān)鍵件時，其?ESD?控制大綱還應(yīng)包括3級靜電放?電敏感元器件、組件和設(shè)備(見5.2.1)。
1.3.2 ???????對承制方?jīng)]有執(zhí)行?ESD??控制大綱的元器件、組件和設(shè)備，訂購方可以拒收或另行采?購。
2??引用文件
GJB450???????88 ???裝備研制與生產(chǎn)的可靠性通用大綱
GJB??597-88??微電路總規(guī)范
3??定義
3.1??術(shù)語
3.1.1 ??????靜電放電 ?electrostatic ???????discharge(ESD)
兩個具有不同靜電電位的物體，由于直接接觸或靜電場感應(yīng)引起的兩物體間的靜電電荷?的轉(zhuǎn)移。
3.1.2??????接地 ?grounding
國防科學(xué)技術(shù)工業(yè)委員會1993-09-30發(fā)布??????????????????????1994-06-01實(shí)施
表1 ESD控制大綱要求要素
|
要?素
功?能 |
ESD 控制大?綱計劃 |
分???????級 |
設(shè)計保
護(hù)(不 包括零 件設(shè)計) |
保?護(hù)?區(qū) | 操?作?程?序 | 保?護(hù)?罩 | 訓(xùn)????????練 | 硬?件?標(biāo)?記 | 文??????件 |
包???????裝 |
質(zhì)量保證規(guī)定?檢查和評審 |
失?效?分?析 |
| 見?5?.?1 | 見5.2 | 見5.3 | 見5.4 | .
見5.5 |
見?5?.?6 | 見5.7 | 見?5?.?8 | 見?5?.?9 | 見5.10 | 見5.11,5.12 | 見5.13 | |
| 設(shè)??計 | √ | √ | √ | √ | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | V | |
| 生??產(chǎn) | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
| 檢查和試驗(yàn) | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | |
| 貯存和運(yùn)輸 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 安??裝 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | 一 |
| 維護(hù)和修理 | √ | 一 | 一 | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ | √ |
注：“?√?”表示考慮；“一”表示不考慮。
電氣連接到能供給或接受大量電荷的物體(如大地、艦船或運(yùn)載工具外殼等)。
3.1.3 ?????操作 ?handling
在檢查、制造、裝配、試驗(yàn)、修理、返工、維護(hù)、安裝、運(yùn)輸、失效分析、捆扎、包裝、打標(biāo)志或掛?標(biāo)簽等類活動中，用手搬運(yùn)機(jī)器裝運(yùn)產(chǎn)品的活動。
3.2??縮寫詞
3.2.1????DUT??device??under??test?試驗(yàn)樣品
3.2.2 ?????ESDS??electrostatic??discharge ??sensitivity?靜電放電敏感。
4??一般要求
承制方應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)的要求制訂、執(zhí)行和提供ESD?控制大綱。表1中適用的控制大綱功能?和要素也應(yīng)用在轉(zhuǎn)承制方和其他有關(guān)機(jī)構(gòu)，以便為ESDS?元器件、組件和設(shè)備提供連續(xù)的保?護(hù)。
5??詳細(xì)要求
5.1 ????ESD?控制大綱計劃
承制方應(yīng)按合同或訂單要求提交一份適用的ESD?控制大綱計劃供訂購方認(rèn)可。
5.1.1??????轉(zhuǎn)承制方ESD?的控制
承制方應(yīng)保證轉(zhuǎn)承制方制訂并執(zhí)行ESD?控制大綱。
5.2???ESDS元器件、組件和設(shè)備的分級
承制方應(yīng)將合同中的?ESDS?元器件、組件和設(shè)備標(biāo)明1級或2級，高可靠或關(guān)鍵設(shè)備的元?器件和組件，應(yīng)標(biāo)明3級。
5.2.1??敏感度分級
1級：易遭按5.2.1.1確定的0～1999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。
2 級：易遭按5.2.1.1確定的2000～3999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。
3級：易遭按5.2.1.1確定的4000～15999V??ESD?電壓危害的電子產(chǎn)品。
注：在本標(biāo)準(zhǔn)里，元器件、組件和設(shè)備的ESD?敏感電壓為16000V?或以上者，認(rèn)為是非靜電敏感產(chǎn)品。
5.2.1.1??元器件分級
元器件的?ESD?敏感度分級應(yīng)按下列方法之一確定；
5.2.1.2 ?元器件重新分級
分級方法應(yīng)寫入?ESD?控制大綱計劃，元器件的敏感度比附錄B(參考件)指出的要低時，?應(yīng)按5.2.1.1的a?或?c?重新分級。
5.3??設(shè)計保護(hù)
組件和設(shè)備的設(shè)計應(yīng)能為最敏感的ESD?元器件提供ESI)?保護(hù)。其最低要求是：
組件-??2000V
設(shè)備……4000V
5.3.1 ?元器件和組件的保護(hù)
必須用1級ESDS?元器件時，組件應(yīng)接入保護(hù)線路，以滿足5.3的設(shè)計要求。
5.3.2 ?設(shè)備保護(hù)
用于滿足設(shè)計規(guī)定要求的試驗(yàn)方法或分析技術(shù)應(yīng)得到訂購方的同意。
5.4??保護(hù)區(qū)
操作無ESD?保護(hù)罩或包裝的ESDS?元器件、組件或設(shè)備應(yīng)在保護(hù)區(qū)里按照ESD?保護(hù)操?作程序(見5.5)進(jìn)行；若不可能在保護(hù)區(qū)里操作時，應(yīng)采用詳細(xì)的替代操作措施和程序或該操?作區(qū)內(nèi)的靜電電壓應(yīng)低干按5.2.1.1確定的相應(yīng)產(chǎn)品敏感的最低電壓。
保護(hù)區(qū)要掛有標(biāo)明靜電安全工作區(qū)的警示牌，未采取防靜電保護(hù)的人員不得進(jìn)入。
5.5??操作程序
應(yīng)該研究、制訂和執(zhí)行ESD?保護(hù)的操作程序。程序的詳細(xì)要求取決于保護(hù)區(qū)提供的控制?程度，保護(hù)區(qū)為防靜電放電危害提供的保護(hù)程度越低，程序應(yīng)越詳細(xì)。操作程序應(yīng)按合同或訂?單的要求提供。
5.5.1 ?設(shè)備的安裝和貯存
設(shè)備的安裝和貯存要求如下：
5.6??保護(hù)罩
ESDS?元器件、組件處于不工作狀態(tài)或保護(hù)區(qū)外時，應(yīng)該用ESID保護(hù)罩或包裝把他們封?閉起來?.ESDS?產(chǎn)品的保護(hù)罩應(yīng)該符合5.10的要求。
5.7??訓(xùn)練
對所有執(zhí)行或監(jiān)督表1中所列內(nèi)容的人員應(yīng)該經(jīng)常進(jìn)行訓(xùn)練。人員的訓(xùn)練記錄應(yīng)提供給
訂購方或其指定的現(xiàn)場檢查代表。
5.8??硬件的標(biāo)志
5.8.1??元器件
ESDS?微電路的標(biāo)志應(yīng)符合GJB ??597,其他?ESDS?元器件的標(biāo)志應(yīng)符合有關(guān)產(chǎn)品規(guī)范的規(guī) 定。
5.8.2??組作
ESDS?組件應(yīng)按圖1標(biāo)志。符號應(yīng)標(biāo)在將它裝入下一個較高層次的組件時容易看見的位?4?置上，由于組件的尺寸或方向不能滿足這一要求時，訂購方應(yīng)該同時研究和采用替代的
標(biāo)志方式。
圖 1 ?靜電敏感符號
5.8.3??設(shè)備
含有ESDS?元器件和組件的設(shè)備按圖1標(biāo)志，符號應(yīng)標(biāo)在設(shè)備的外表面，而且在人員接觸 設(shè)備內(nèi)的ESDS?元器件、組件前容易看到：并將“含有靜電放電敏感元器件”的警句標(biāo)在圖1所?示符號旁邊。
5.8.3.1??設(shè)備外部端口
靜電敏感符號(圖1所示)應(yīng)標(biāo)在設(shè)備外表面上內(nèi)連ESDS?元器件和組件的端口附近。
5.9??文件
5.9.1??交付文件
交付使用的文件上應(yīng)將1、2或3級ESDS?元器件、組件和設(shè)備及連接?ESDS?元器件、組件?的連接器、試驗(yàn)點(diǎn)、端口都標(biāo)上“ESDS”?字樣或圖1所示符號。文件一般應(yīng)包括成文的ESD?保?護(hù)程序。
5.9.2??可不交付文件
承制方用于執(zhí)行?ESD?控制大綱的可不交付文件上，應(yīng)將1、2或3級ESDS?元器件、組件?和設(shè)備都標(biāo)上“ESDS”字樣或圖1所示符號，可用明確的分級數(shù)據(jù)代替識別標(biāo)志。
5.10??包裝和標(biāo)志
ESDS?產(chǎn)品的ESD?保護(hù)包裝應(yīng)按產(chǎn)品規(guī)范或相應(yīng)的產(chǎn)品包裝規(guī)范進(jìn)行包裝。另外，與設(shè)?備內(nèi)的?ESDS?元器件、組件相連的設(shè)備外部端口應(yīng)使用ESD?保護(hù)帽。
外包裝箱上應(yīng)標(biāo)上圖1所示符號，并標(biāo)上“注意：敏感電子元器件，儲運(yùn)中，切勿靠近強(qiáng)靜?電、強(qiáng)電磁、磁場或放射場”的警句。
5.11??質(zhì)量保證規(guī)定
為保證符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，承制方應(yīng)制訂質(zhì)量保證文件，其條款中還應(yīng)包括對轉(zhuǎn)承制方、?銷售方執(zhí)行ESD?保護(hù)要求進(jìn)行監(jiān)督和審查。
5.11.1??內(nèi)部質(zhì)量記錄
承制方應(yīng)該具有并保留每一項(xiàng)質(zhì)量評價的內(nèi)部記錄，以確保與ESD?控制大綱一致。這些?記錄應(yīng)說明評價日期、參加者、評價項(xiàng)目、評價目標(biāo)(目的)、檢查出的問題以及有關(guān)建議和糾正?措施。
5.11.2??內(nèi)部質(zhì)量報告
承制方應(yīng)該具有按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行的質(zhì)量評價結(jié)論和建議的內(nèi)部報告。質(zhì)量評價報告應(yīng)?說明進(jìn)行的活動，檢測出的問題、必要的糾正措施、對出現(xiàn)質(zhì)量問題的分析以及改進(jìn)建議。
5.12??評審和檢查
承制方應(yīng)該對5.12.1和5.12.2中各項(xiàng)進(jìn)行評估，為正式評審和檢查作好計劃和準(zhǔn)備工?作，并確保要求的文件齊全。當(dāng)需要確定是否與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求相符時，訂購方有權(quán)檢查、評?審本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的文件。承制方擬定的設(shè)計評審和計劃實(shí)施的評審都應(yīng)包括ESD?控制大綱要?求。訂購方或其指定代表可選擇參加評審。根據(jù)要求，在承制方認(rèn)為方便時，可提供評審和檢?查記錄。
5.12.1??設(shè)計評審
評審時，應(yīng)提供與ESD?控制大綱有關(guān)的設(shè)計決策，它應(yīng)包括：
a.1?、2?級?或?3?級ESDS?元器件、組件和設(shè)備以及ESDS?外部端口(見5.2.1和5.9)的鑒?定?；
5.12.2??計劃實(shí)施的評審
按下述內(nèi)容進(jìn)行評審：
a.ESD???控制大綱計劃的執(zhí)行(見5.1);
g.ESDS???元器件、組件和設(shè)備的保護(hù)罩和包裝(見5.6和5.10);
5.13??失效分析
當(dāng)合同或訂單要求引用GJB??450中項(xiàng)目104或301時，失效分析應(yīng)包括ESD?失效模式、?原因及糾正措施的建議。
附??錄??A
靜電放電敏感度分級試驗(yàn)?(補(bǔ)充件)
A1 ??范囤
A1.1??主題內(nèi)容
本附錄規(guī)定了靜電放電敏感度分級試驗(yàn)(見5.2.1.1c) 的準(zhǔn)則和程序。
A1.2????適用范圍
本附錄適用于微電子器件靜電放電敏感度分級試驗(yàn)，其他靜電敏感元器件也可參照使用。
A2 ??元器件適用性要求
A2.1????概述
按本附錄規(guī)定進(jìn)行元器件的ESDS?分級試驗(yàn)時，應(yīng)把試驗(yàn)日期通知訂購方，訂購方有權(quán)親?自觀看試驗(yàn)和評審試驗(yàn)數(shù)據(jù)。該分級試驗(yàn)應(yīng)視為破壞性試驗(yàn)，試驗(yàn)過的元器件不能作為交貨產(chǎn)?品 。
A2.2????分級試驗(yàn)報告
分級試驗(yàn)報告應(yīng)符合合同或訂貨單的要求。
A3???設(shè)備
A3.1????試驗(yàn)設(shè)備
靜電放電脈沖模擬器和?DUT?插座應(yīng)符合圖A1 的電路，該電路能產(chǎn)生圖A2 所示特征的?脈沖波形。
圖 A1 ?????ESD分級試驗(yàn)電路(人體模型)
R1=10?~10?Ω??????R2=1500Ω±1%
C1=100pF±10% ???(絕緣電阻最小為1012Ω)
S1一高壓繼電器(無抖動型，水銀繼電器或等效的繼電器)
S2一普通閉合開關(guān)(在脈沖放電和電容測量時斷開)
注：①寄生效應(yīng)對本模擬電路有強(qiáng)烈的影響?？缃永^電器和電阻端的電容量及線路和各元件上的電感量應(yīng)減至最小。
②為防止C1 瞬時再充電，在SI 接到充電位置時，將電源電壓調(diào)小一些。
③在校準(zhǔn)和試驗(yàn)期間，不允許變動DUT?插座。
④不允許采用換接模擬器?A、B端來獲得相反的極性。
⑤CI ?代表了有效電容(見A3.3.2)。
⑥電流探針應(yīng)用雙線屏蔽電纜連接到示波器的502輸入端，電纜長度不能超過0.9m
100%
90%
368%
10%???0+
0
Tri
Tdi
圖?A2???靜電放電敏感度分級試驗(yàn)電流波形示意圖(人體模型)
注：①電流波形應(yīng)按A4.1 ?規(guī)定的程序來測量，所用設(shè)備應(yīng)符合A3.1 ?的要求。
②電流脈沖波形應(yīng)具有下列特征：
Tri????(上升時間):小于10ns
Tdi ???(衰減時間):150±20ns
Ip???(峰值電流):表A1?中所選電壓等級對應(yīng)的Ip±10% ?范圍內(nèi)。
Ir ???(振蕩電流):衰減應(yīng)平滑，出現(xiàn)的抖動、雙時間常數(shù)或不連續(xù)的值應(yīng)小于Ip?最大值的15%,且脈沖開始100ns 后?不應(yīng)觀察到，
A3.2????測量儀器
儀器包括能檢查模擬器輸出脈沖波形是否符合圖A2 要求的示波器、放大器和電流探針?等。
A3.2.1 ?????示波器和放大器
示波器和放大器組合電路應(yīng)有最小350MHz的帶寬和最低0.25ns/cm??的掃描時基。?A3.2.2??????電流探針
電流探針應(yīng)有最小350MHz?的帶寬。
A3.2.3??????充電電壓探針
充電電壓探針應(yīng)有最小1000MΩ的輸入電阻和最大4%的分壓比。
A3.3?????校驗(yàn)
周?期?性 的?校?驗(yàn)?至?少?應(yīng)?包?括?下?述 內(nèi)?容?。
A3.3.1??????充電電壓
顯示模擬器充電電壓的儀表應(yīng)校準(zhǔn)，以指示圖A1?中?C、D 兩點(diǎn)間的實(shí)際電壓，其值見表?A1?的規(guī)定。
表A1模擬器充電電壓(Vs)等級與峰值電流(Ip)的關(guān)系
| 級??別 | Vs/V | Ip/A |
| 1 | 500 | 0.33 |
| 2 | 1000 | 0.67 |
| 3 | 2000 | 1.33 |
| 4 | 4000 | 2.67 |
注?：lp?是在電流波形檢驗(yàn)過程中流過R??的峰值電流，大約為Vs/1500Ω。
A3.3.2??????有效電容量
把圖A1?中?的C1?充電到特定電壓(見表A1), ?在試驗(yàn)插座無試驗(yàn)樣品和試驗(yàn)開關(guān)斷開的?情況下，把C1?所充的電荷放電到圖A1?中?A、B 兩點(diǎn)的靜電計、庫侖計或已校驗(yàn)的電容器來測?量有效電容量。在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)，有效電容量應(yīng)是100pF±10%, ???有效電容量應(yīng)定期在?1000V ?電壓下進(jìn)行校驗(yàn)(注意：需串聯(lián)一個電阻來減慢放電過程和得到正確的測量結(jié)果)。必?要時，可采用其他等效的方法。
A3.3.3??????電流波形
對表A1?中的每一級電壓分別按A4.1??所述過程測定電流波形，每一級電壓的電流波形應(yīng)?滿足圖A2?的要求。
A3.4?????鑒定
對新儀器或經(jīng)過大修的儀器應(yīng)進(jìn)行驗(yàn)收檢驗(yàn)。檢驗(yàn)應(yīng)包括下述內(nèi)容(但不僅限于此內(nèi)容)。?A3.4.1??????電流波形檢驗(yàn)
以最靠近B 端(見圖A1)?的管腳為參考點(diǎn)，檢驗(yàn)每個管腳上的電流波形。所有波形均應(yīng)滿?足圖A2 的要求。標(biāo)記出顯示最差波形(接近于臨界極限)的管腳對，用于?A4.1??所要求的波形?檢查。
A4???程序
A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗(yàn)
為保證模擬器正常工作，進(jìn)行ESD?試驗(yàn)每次換班開始或每次改變試驗(yàn)插座/插板后的試?驗(yàn)前均應(yīng)進(jìn)行電流波形檢驗(yàn)。如果模擬器不滿足所有的要求，則最后一次合格檢驗(yàn)后所做的所?有分類試驗(yàn)都必須重做。在裝置的最初鑒定和重新鑒定時，應(yīng)將按A4.1.3～A4.1.5 ?????的要求觀??察到的波形拍攝成照片，作為文件保存以供審查和比較(也可用貯存的數(shù)字化圖象代替照片)。?A4.1.1 ?????把沒有試驗(yàn)樣品的DUT??插座安裝到模擬器上，在DUT???插座的兩個管腳孔上跨接?一段短接線，把其中一個管腳連接到模擬器的A?端，另一個管腳連接到B 端(見圖A1)。
A4.1.2??把電流探針繞接到靠近B 端的短接線下，將模擬器的充電電壓源?Vs?設(shè)置到符合表?A1 中第4級的4000V。
A4.1.3 ?????觸發(fā)一個模擬器脈沖并觀察電流波形的前沿，電流波形應(yīng)滿足圖A2?的上升時間、峰 值電流和減幅振蕩要求。
A4.1.4 ?????再次觸發(fā)模擬器脈沖，并觀察整個電流波形，脈沖應(yīng)滿足圖A2?的衰減時問和減幅振
蕩要求?。
A4.1.5 ????改變電壓極性(Vs=-4000V), ???????重復(fù)A4.1.3 ??及?A4.1.4 ???過程。
A4.1.6 ?????檢查模擬器輸出，驗(yàn)證每次觸發(fā)只產(chǎn)生一個脈沖且電容器C1?充電時沒有脈沖輸出。?為觀察再充電的瞬態(tài)過程，將觸發(fā)器設(shè)置在相反極性，并將示波器的垂直靈敏度提高約10倍，?然后觸發(fā)模擬器。
A4.2????分級試驗(yàn)
A4.2.1 ?????試驗(yàn)前和試驗(yàn)過程中每個器件均應(yīng)保持在室溫。
A4.2.2 ????取一個試驗(yàn)樣品按表A1?所示的電壓等級來確定該器件靜電放電的失效電壓值。對?帶火花隙保護(hù)的器件，試驗(yàn)必須從表A1?所示的最低電壓級開始，除此之外，試驗(yàn)可從任何電?壓級開始。用圖示儀測試試樣的輸入或輸出的?V/I??損傷特性或用其他簡單的試驗(yàn)技術(shù)確認(rèn)電 壓值(例如，累積損傷效應(yīng)可能因在失效電壓級下選用新的樣品重新試驗(yàn)而被忽略，使樣品可?能通過這一電壓級的試驗(yàn))。
A4.2.3 ????選取一組三個試驗(yàn)樣品，按表A1?在低于A4.2.2 ???確定失效電壓值的電壓等級下進(jìn)??行試驗(yàn)。每個試驗(yàn)樣品都應(yīng)按表A2?所示的各個管腳組合進(jìn)行三次正脈沖和三次負(fù)脈沖試驗(yàn)。 脈沖間隔最少為1s。
表?A2 ???試驗(yàn)的管腳組合1
| A端(下列各個管腳依次接?到A端，其他管腳懸空) | B端(所有各類同名管腳聯(lián)?在一起接到B端) | |
| 1 | 除Vs外的所有管腳2) | 所?有?V?管?腳 |
| 2 | 所有輸入和輸出管腳 | 所有其他的輸入和輸出管腳 |
注：①表A2的說明見A4.3。
1)不連接的管腳是不被試驗(yàn)的。
2)對各類電源腳和地，重復(fù)管腳組合1的試驗(yàn)(如Vs 是Vbu、Vcc、Vss、VBe、GND.+Vs’、VREF等)。
A4.2.4 ????試驗(yàn)樣品按適用的1和7組進(jìn)行電性能測試(室溫下的直流參數(shù)和功能參數(shù)測試)。?A4.2.5 ?????如果有一個以上的試驗(yàn)樣品失效，用三個新的試驗(yàn)樣品，在比所用電壓等級更低的?電壓下重復(fù)A4.2.3???和?A4.2.4。
A4.2.6 ?????如果三個試驗(yàn)樣品沒有一個失效，記下A4.2.2 ??所確定的失效電壓值。
A4.3????試驗(yàn)的管腳組合
A4.3.1 ?????各個管腳依次接到A?端，相應(yīng)器件的地腳接到B 端。除被試的管腳和地腳外，其它所?有管腳懸空。相應(yīng)各個不同類的所有電源腳(如Vss或?Vs? 或V??或 Vc ?或Vec2聯(lián)在一起接到?B?端。除被試的管腳和電源腳外，其他管腳都懸空。
A4.3.2??????各個管腳依次接到A 端
A4.3.3??各個輸入和輸出管腳依次接到A?端，相應(yīng)所有其他輸入和輸出管腳聯(lián)在一起接到B
端。除被試的輸入和輸出管腳以及所有其他輸入和輸出管腳外，其他所有管腳都懸空。
A5 ????說?明
下列內(nèi)容應(yīng)在訂貨單或合同中規(guī)定，或在其他場合明確規(guī)定。
A5.1??試驗(yàn)后電性能測試結(jié)果
A5.2 ????采用的特殊條件或代用的管腳組合。
A5.3?????試樣數(shù)量(試樣不是3個時)。
附??錄??B???ESDS?元器件? (參考件)
B1??范圍
本附錄確定了適用本標(biāo)準(zhǔn)ESD?控制大綱要求的1、2和3級元器件。
B2?元器件適用性要求
B2.1 ???適用于本標(biāo)準(zhǔn)的ESDS?元器件列于表B1,?這些元器件根據(jù)元器件類型和敏感度范圍來?分?級?。
B3???詳細(xì)要求
B3.1????1、2和3級元器件
表B1?說明了1、2和3級元器件類型(見5.2)。這種分級的依據(jù)是給定元器件類型中有代?表性元器件的試驗(yàn)數(shù)據(jù)和報告。元器件設(shè)計、加工技術(shù)或保護(hù)電路的差異可能導(dǎo)致元器件不在?表?B1 規(guī)定的范圍內(nèi)。
B3.2????元器件類型分級
必要時，附錄A(補(bǔ)充件)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)可取代表B1的元器件類型分級。
表?B1???按元器件類型列出的ESDS 元器件
| 1級：敏感電壓范圍0～1999V?元?器?件?類?型 |
| 微波器件(肖特基勢壘二極管、點(diǎn)接觸二極管和其他工作頻率大于1GHz的檢測二極管 |
| 離散型MOS場效應(yīng)晶體管 |
| 聲表面波(SAW)器件 |
| 結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JEETs) |
| 電荷耦合器件(CCDs) |
| 精密穩(wěn)壓二極管(線或加載電壓穩(wěn)定(0.5%)) |
| 運(yùn)算放大器(OP?AMPs) |
| 薄膜電阻器 |
| 集成電路 |
| 使用1級元器件的混合電路 |
| 超高速集成電路(VHSIC) |
| 環(huán)境溫度100℃時，?I??<0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
續(xù)表B1
| 2級：敏感電壓范圍2000～3999V?元?器?件?類?型 |
| 由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為2級的元器件和微電路?離散型MOS場效應(yīng)晶體管
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JEETs) 運(yùn)算放大器(OP?AMPs) 集成電路(ICs) 超高速集成電路(VHSIC) |
| 精密電阻網(wǎng)絡(luò)(R2) |
| 使用2級元器件的混合電路 |
| 低功率雙極型晶體管，P≤100mW,Ic<100mA |
| 3級：敏感電壓范圍4000～15999V?元?器?件?類?型 |
| 由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為3級的元器件和微電路： |
| 離散型MOS場效應(yīng)晶體管?運(yùn)算放大器(OP?AMPs)??集成電路(ICs)
超高速集成電路(VHSIC) |
| 所有不包括在1級或2級中的其他微電路 |
| Po<1W或I??<1A的小信號二極管 |
| 普通要求的硅整流器 |
| I??>0.175A的晶體閘流管(SCRs) |
| 350mW>Pa>100mWH400mA>I:>100mA的低功率雙極型晶體管 |
| 光電器件(發(fā)光二極管、光敏器件、光耦合器) |
| 片狀電阻器 |
| 使用3級元器件的混合電路 |
| 壓電晶體 |
附??錄??C
靜電敏感符號的顏色和比例尺寸
(補(bǔ)充件)
C1??顏色
靜電敏感符號可以用與底色有明顯對比的任何顏色單色標(biāo)注。?建議在黃色底上采用黑色的符號；盡量避免采用紅色。
C2???比例尺寸
如果標(biāo)記位置允許，應(yīng)按圖Cla??所示的基本符號進(jìn)行標(biāo)注。?需要時，也可以采用圖C1b?所示的按比例縮小的簡化符號。
圖?Cla??????基本符號
圖?C1b??按比例縮小的簡化符號
附加說明：
本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子工業(yè)總公司提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所、電子基礎(chǔ)產(chǎn)品裝備公司起草。??本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：方麗娜、徐云、林文荻、王瑞鋒、穆祥鎮(zhèn)、李自強(qiáng)。
計劃項(xiàng)目代號：90151。